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Infineon IRF7749L1TRPBF MOSFET

訂 貨 號(hào):IRF7749L1TRPBF      品牌:國(guó)際整流器_IR

庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

品牌商價(jià):¥0.00

環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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Infineon IRF7749L1TRPBF MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

DirectFET? 功率 MOSFET,Infineon

DirectFET? 電源封裝是表面安裝功率 MOSFET 封裝技術(shù)。 DirectFET? MOSFET 是先進(jìn)切換應(yīng)用中減少能耗同時(shí)縮小設(shè)計(jì)印跡的解決方案。

在各個(gè)印跡中均具有行業(yè)最低的導(dǎo)通電阻
封裝電阻極低,盡量減少傳導(dǎo)損耗
高效雙面冷卻可顯著提高功率密度、降低成本和增加可靠性
薄型,僅 0.7mm

MOSFET 晶體管,Infineon

Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能,實(shí)現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強(qiáng)型保護(hù)功能的設(shè)計(jì)獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 375 A
最大漏源電壓 60 V
封裝類型 DirectFET
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 15
最大漏源電阻值 1.5 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大功率耗散 125 W
晶體管配置
最大柵源電壓 -20 V、+20 V
晶體管材料 Si
典型柵極電荷@Vgs 200 nC @ 10 V
最高工作溫度 +175 °C
長(zhǎng)度 9.15mm
寬度 7.1mm
每片芯片元件數(shù)目 1
暫無

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